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QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

30V NCH+NCH POWER MOSFET

QH8KA2TCR Technisches Datenblatt

nicht konform

QH8KA2TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24215 -
6,000 $0.23380 -
3080 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 365pF @ 10V
Leistung - max. 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

DMN3055LFDB-13
NVMFD5483NLT1G
NVMFD5483NLT1G
$0 $/Stück
NVMFD5C462NLT1G
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$0 $/Stück
DMN2041UFDB-7
EPC2110
EPC2110
$0 $/Stück
FDG6302P
FDMS3604S
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$0 $/Stück
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