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QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

QH8KA4TCR Technisches Datenblatt

compliant

QH8KA4TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37380 -
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400pF @ 10V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

PMDPB56XN,115
PMDPB56XN,115
$0 $/Stück
EFC2K101NUZTDG
EFC2K101NUZTDG
$0 $/Stück
NX3020NAKV,115
DMN33D9LV-13
PMDT670UPE,115
SI7540ADP-T1-GE3
SI1926DL-T1-E3
SIZ926DT-T1-GE3

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