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QH8M22TCR

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QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T

QH8M22TCR Technisches Datenblatt

nicht konform

QH8M22TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.34000 $1.34
500 $1.3266 $663.3
1000 $1.3132 $1313.2
1500 $1.2998 $1949.7
2000 $1.2864 $2572.8
2500 $1.273 $3182.5
12000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Ta), 2A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Leistung - max. 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

SI7913DN-T1-E3
DMC4047LSD-13
DMN63D8LV-7
QS6J11TR
QS6J11TR
$0 $/Stück
MCM2301-TP
FDD8424H
FDD8424H
$0 $/Stück
ISL6605CB-TS2495
ISL6605CB-TS2495
$0 $/Stück

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