Welcome to ichome.com!

logo
Heim

QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

QH8MA2TCR Technisches Datenblatt

compliant

QH8MA2TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20150 -
89 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A, 3A
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 365pF @ 10V
Leistung - max. 1.25W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI7904BDN-T1-GE3
NTLJD3119CTBG
NTLJD3119CTBG
$0 $/Stück
EM6K1T2R
EM6K1T2R
$0 $/Stück
FDR8702H
DMN2013UFX-7
DMN62D0UT-7

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.