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QH8MA4TCR

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MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

QH8MA4TCR Technisches Datenblatt

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QH8MA4TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.32770 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A, 8A
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 640pF @ 15V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

SI4936CDY-T1-GE3
BSM600D12P3G001
NDS8936
SLA5075
SLA5075
$0 $/Stück
DMC6040SSD-13
ZXMC3A16DN8TC
NVMFD5C478NWFT1G
NVMFD5C478NWFT1G
$0 $/Stück

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