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QS6K1FRATR

QS6K1FRATR

QS6K1FRATR

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE

QS6K1FRATR Technisches Datenblatt

compliant

QS6K1FRATR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
4 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10V
Leistung - max. 900mW (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
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