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QS8K11TCR

QS8K11TCR

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

QS8K11TCR Technisches Datenblatt

compliant

QS8K11TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.29435 -
6,000 $0.28420 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.3nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 180pF @ 10V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

DMC25D0UVT-13
NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G
$0 $/Stück
SIZ988DT-T1-GE3
MMDF2P02HDR2G
MMDF2P02HDR2G
$0 $/Stück
DMP2035UTS-13
BUK7K12-60EX

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