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QS8M51TR

QS8M51TR

QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

QS8M51TR Technisches Datenblatt

compliant

QS8M51TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.50400 -
18000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A, 1.5A
rds ein (max) @ id, vgs 325mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.7nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 290pF @ 25V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

CAR600M17HN6
CAR600M17HN6
$0 $/Stück
NVMFD5C680NLWFT1G
NVMFD5C680NLWFT1G
$0 $/Stück
IRF7309TRPBF
NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G
$0 $/Stück
NTMD6N03R2
NTMD6N03R2
$0 $/Stück
DMN2016UFX-7
DMN2023UCB4-7

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