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R6004JND3TL1

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MOSFET N-CH 600V 4A TO252

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R6004JND3TL1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.73402 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 450µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN4R6-60PS,127
IRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF
$0 $/Stück
RSH090N03TB1
SCH1330-TL-W
SCH1330-TL-W
$0 $/Stück
NVTFS5124PLWFTAG
NVTFS5124PLWFTAG
$0 $/Stück
NTD5C446NT4G
NTD5C446NT4G
$0 $/Stück
STF5N62K3
STF5N62K3
$0 $/Stück
PSMN2R0-30BL,118

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