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R6006JND3TL1

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MOSFET N-CH 600V 6A TO252

nicht konform

R6006JND3TL1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.54000 $2.54
500 $2.5146 $1257.3
1000 $2.4892 $2489.2
1500 $2.4638 $3695.7
2000 $2.4384 $4876.8
2500 $2.413 $6032.5
48 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 800µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 410 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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