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R6007ENJTL

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MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

R6007ENJTL Technisches Datenblatt

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R6007ENJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.79750 -
2,000 $0.77000 -
658 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 390 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SQ3425EV-T1_BE3
DMP2067LSS-13
NVTFS8D1N08HTAG
NVTFS8D1N08HTAG
$0 $/Stück
FDD6676
IXFT80N65X2HV-TRL
IXFT80N65X2HV-TRL
$0 $/Stück
DMN62D4LFB-7B
IRLS540A

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