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R6009KNX

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MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

R6009KNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6009KNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.65000 $1.65
10 $1.48400 $14.84
100 $1.19280 $119.28
500 $0.98000 $490
1,000 $0.81200 -
2,500 $0.78400 -
486 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 540 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STD3N95K5AG
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
$0 $/Stück
BUK9875-100A/CUX
IRFU024PBF
IRFU024PBF
$0 $/Stück
RS1E280GNTB
FQD7N30TM
FQD7N30TM
$0 $/Stück
APT19F100J

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