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R6011KNJTL

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MOSFET N-CH 600V 11A LPTS

R6011KNJTL Technisches Datenblatt

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R6011KNJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.95700 -
2,000 $0.92400 -
398 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 124W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFH130N15X3
IXFH130N15X3
$0 $/Stück
IXFP90N20X3M
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$0 $/Stück
SI2304BDS-T1-GE3
BUK7514-60E,127
BUK7514-60E,127
$0 $/Stück
FDS6676S
IRFB38N20DPBF

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