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R6012JNXC7G

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MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

R6012JNXC7G Technisches Datenblatt

nicht konform

R6012JNXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.19000 $4.19
500 $4.1481 $2074.05
1000 $4.1062 $4106.2
1500 $4.0643 $6096.45
2000 $4.0224 $8044.8
2500 $3.9805 $9951.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDPF4N60NZ
FDPF4N60NZ
$0 $/Stück
SI7848BDP-T1-GE3
PMH550UPEH
PMH550UPEH
$0 $/Stück
SI2342DS-T1-GE3
NX138BKWF
NX138BKWF
$0 $/Stück
FDD5N50FTM-WS
FDD5N50FTM-WS
$0 $/Stück
DMN3016LK3-13
GPI65005DF
GPI65005DF
$0 $/Stück
SI7742DP-T1-GE3

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