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R6020ENJTL

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MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

R6020ENJTL Technisches Datenblatt

compliant

R6020ENJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.26295 -
2,000 $1.21940 -
268 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIR640ADP-T1-GE3
STD7ANM60N
STD7ANM60N
$0 $/Stück
IRFBC30STRLPBF
R6000ENHTB1
STW22N95K5
STW22N95K5
$0 $/Stück
RM3400
RM3400
$0 $/Stück
RCD075N19TL

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