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R6020JNZ4C13

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MOSFET N-CH 600V 20A TO247G

nicht konform

R6020JNZ4C13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.85000 $8.85
500 $8.7615 $4380.75
1000 $8.673 $8673
1500 $8.5845 $12876.75
2000 $8.496 $16992
2500 $8.4075 $21018.75
412 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 234mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 3.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 252W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247G
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FQB20N06TM
PSMN010-25YLC,115
IXFN44N80P
IXFN44N80P
$0 $/Stück
STD3NK60Z-1
BUK7275-100A,118
STD28P3LLH6AG
IRFU210PBF
IRFU210PBF
$0 $/Stück
IXTH36N50P
IXTH36N50P
$0 $/Stück
RCJ120N20TL
CPH3331-TL-E
CPH3331-TL-E
$0 $/Stück

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