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R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

R6025FNZ1C9 Technisches Datenblatt

compliant

R6025FNZ1C9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.02000 $6.02
30 $5.10767 $153.2301
120 $4.42650 $531.18
510 $3.76820 $1921.782
1,020 $3.17800 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SCT2160KEC
SCT2160KEC
$0 $/Stück
NVMFS5C430NLT3G
NVMFS5C430NLT3G
$0 $/Stück
IPU075N03L G
IRFR5505TRL
IPD50R399CP
IRF1010EZ
NTB30N06LG
NTB30N06LG
$0 $/Stück

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