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R6025JNXC7G

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MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM

R6025JNXC7G Technisches Datenblatt

nicht konform

R6025JNXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.27000 $7.27
500 $7.1973 $3598.65
1000 $7.1246 $7124.6
1500 $7.0519 $10577.85
2000 $6.9792 $13958.4
2500 $6.9065 $17266.25
1975 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 4.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI1467DH-T1-E3
IRFB4227PBF
STS5NF60L
STS5NF60L
$0 $/Stück
SQ9407EY-T1_GE3
SPP12N50C3
SIHG73N60E-GE3
NTMFS4835NT3G
NTMFS4835NT3G
$0 $/Stück

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