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R6030KNX

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MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

R6030KNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6030KNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.21000 $3.21
10 $2.88000 $28.8
100 $2.35950 $235.95
500 $2.00860 $1004.3
1,000 $1.69400 -
147 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIHW47N60E-GE3
PMZB300XN,315
PMZB300XN,315
$0 $/Stück
AUIRF4104S
APT4014BVFRG
NTBG015N065SC1
NTBG015N065SC1
$0 $/Stück
NTB6N60T4
NTB6N60T4
$0 $/Stück

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