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R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

R6035KNZ1C9 Technisches Datenblatt

compliant

R6035KNZ1C9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.98000 $4.98
30 $4.23000 $126.9
120 $3.66600 $439.92
510 $3.12080 $1591.608
1,020 $2.63200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 379W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STB70NF3LLT4
TPIC1301DW
TPIC1301DW
$0 $/Stück
IRFU3711ZPBF
PH6030L,115
PH6030L,115
$0 $/Stück
SI4448DY-T1-E3
IRLU2703PBF
IRF5800TRPBF
FQU5N50CTU-WS
FQU5N50CTU-WS
$0 $/Stück

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