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R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

MOSFET N-CH 600V 46A TO247

R6046FNZ1C9 Technisches Datenblatt

nicht konform

R6046FNZ1C9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.33000 $11.33
10 $10.23400 $102.34
450 $8.09200 $3641.4
900 $7.37800 $6640.2
1,350 $6.66400 -
282 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 98mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDA50N50
FDA50N50
$0 $/Stück
NTD4909N-35G
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$0 $/Stück
IXTH3N200P3HV
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$0 $/Stück
DMP65H9D0HSS-13
SIHP11N80E-GE3
NTTFS008N04CTAG
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$0 $/Stück
EPC2010C
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$0 $/Stück
IXTA1N120P
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$0 $/Stück
IXFA6N120P
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$0 $/Stück

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