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R6507ENXC7G

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650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

R6507ENXC7G Technisches Datenblatt

nicht konform

R6507ENXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.08000 $3.08
500 $3.0492 $1524.6
1000 $3.0184 $3018.4
1500 $2.9876 $4481.4
2000 $2.9568 $5913.6
2500 $2.926 $7315
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 665mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 390 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTP230N04T4M
IXTP230N04T4M
$0 $/Stück
SIHH21N65E-T1-GE3
SI4490DY-T1-E3
IXFX150N15
IXFX150N15
$0 $/Stück
BUZ76
BUZ76
$0 $/Stück
STB3NK60ZT4
FDP054N10
FDP054N10
$0 $/Stück
IXFK180N15P
IXFK180N15P
$0 $/Stück

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