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R8008ANJGTL

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NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008

R8008ANJGTL Technisches Datenblatt

compliant

R8008ANJGTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.10000 $6.1
500 $6.039 $3019.5
1000 $5.978 $5978
1500 $5.917 $8875.5
2000 $5.856 $11712
2500 $5.795 $14487.5
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 195W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263S
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STH47N60DM6-2AG
IXFP20N50P3
IXFP20N50P3
$0 $/Stück
HUF75343S3
HUF75343S3
$0 $/Stück
STF35N60DM2
IXFX300N20X3
IXFX300N20X3
$0 $/Stück
ZXMN10A08E6QTA
PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
$0 $/Stück
FQPF2N60C
FQPF2N60C
$0 $/Stück

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