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R8010ANX

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MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM

R8010ANX Technisches Datenblatt

nicht konform

R8010ANX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.02000 $3.02
10 $2.71300 $27.13
100 $2.22300 $222.3
500 $1.89240 $946.2
1,000 $1.59600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 560mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTB5404NT4G
NTB5404NT4G
$0 $/Stück
FDMS7692A
MTW32N20E
MTW32N20E
$0 $/Stück
NDD02N40T4G
NDD02N40T4G
$0 $/Stück
FDV304P_NB8U003
FDV304P_NB8U003
$0 $/Stück
NTD85N02RG
NTD85N02RG
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