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RCD080N25TL

RCD080N25TL

RCD080N25TL

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3

RCD080N25TL Technisches Datenblatt

compliant

RCD080N25TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.67200 -
408 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1440 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket CPT3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

RM4N650LD
RM4N650LD
$0 $/Stück
IXFK100N65X2
IXFK100N65X2
$0 $/Stück
APT66M60L
IXTA06N120P
IXTA06N120P
$0 $/Stück
NTMFS015N15MC
NTMFS015N15MC
$0 $/Stück
APT31M100B2
IRF1404LPBF
SIE820DF-T1-GE3

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