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RCX081N20

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MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM

RCX081N20 Technisches Datenblatt

nicht konform

RCX081N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.92000 $0.92
10 $0.82600 $8.26
100 $0.64400 $64.4
500 $0.53200 $266
1,000 $0.42000 -
2,500 $0.39200 -
203 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 770mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.25V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 330 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMP2077UCA3-7
DMN62D0U-13
SI3443DDV-T1-GE3
SIHG47N65E-GE3
IRLIZ14GPBF
IRLIZ14GPBF
$0 $/Stück
RRH040P03TB1
IXTP96P085T
IXTP96P085T
$0 $/Stück

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