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RD3G600GNTL

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MOSFET N-CH 40V 60A TO252

RD3G600GNTL Technisches Datenblatt

compliant

RD3G600GNTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.01000 $2.01
500 $1.9899 $994.95
1000 $1.9698 $1969.8
1500 $1.9497 $2924.55
2000 $1.9296 $3859.2
2500 $1.9095 $4773.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVMJS1D4N06CLTWG
NVMJS1D4N06CLTWG
$0 $/Stück
STD20NF06LT4
APT12M80B
NDS9400
IRFBC40LCPBF
IRFBC40LCPBF
$0 $/Stück
SUM70090E-GE3
APT1201R2BFLLG
SIR610DP-T1-RE3

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