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RDN120N25FU6

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MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 210mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1224 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FN
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFZ34STRR
IRFZ34STRR
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FQP8N90C
FQP8N90C
$0 $/Stück
IPI070N08N3 G
NTD2955PT4G
NTD2955PT4G
$0 $/Stück
SI5443DC-T1-E3
IRFR214TRR
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$0 $/Stück
AUIRFZ44N

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