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RF4E060AJTCR

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MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

nicht konform

RF4E060AJTCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
2609 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket HUML2020L8
Paket / Koffer 8-PowerUDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI4874BDY-T1-E3
IXTT80N20L
IXTT80N20L
$0 $/Stück
STH240N75F3-6
STP9N65M2
STP9N65M2
$0 $/Stück
SI7141DP-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
HUF75333P3

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