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RF4E100AJTCR

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MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

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RF4E100AJTCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.31552 -
6,000 $0.30464 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1460 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket HUML2020L8
Paket / Koffer 8-PowerUDFN
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