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RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT

RQ3E070BNTB Technisches Datenblatt

compliant

RQ3E070BNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09900 -
6,000 $0.09350 -
15,000 $0.08525 -
30,000 $0.07975 -
75,000 $0.07700 -
4929 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 410 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI2347DS-T1-GE3
3LP03M-TL-E
3LP03M-TL-E
$0 $/Stück
IXFT60N65X2HV
IXFT60N65X2HV
$0 $/Stück
SI7174DP-T1-GE3
IRFW540ATM
HUF75329P3
HUF75329P3
$0 $/Stück
IXFK250N10P
IXFK250N10P
$0 $/Stück
NTHL040N65S3HF
NTHL040N65S3HF
$0 $/Stück

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