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RQ3E150GNTB

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MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

RQ3E150GNTB Technisches Datenblatt

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RQ3E150GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.18135 -
6,000 $0.16965 -
15,000 $0.16380 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 850 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 17.2W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIA468DJ-T1-GE3
FQB6N90TM
NDS0610
NDS0610
$0 $/Stück
FDMC8878
FDMC8878
$0 $/Stück
NTR4503NT1G
NTR4503NT1G
$0 $/Stück
SCH1332-TL-H
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$0 $/Stück
STW5NK100Z
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$0 $/Stück
CSD17559Q5
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