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RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

SOT-23

RQ3G150GNTB Technisches Datenblatt

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RQ3G150GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.45248 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 39A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFI530GPBF
IRFI530GPBF
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SIS444DN-T1-GE3
NTMTS0D4N04CLTXG
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NDD03N60ZT4G
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PMN52XP115
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