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RQ3L090GNTB

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MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

RQ3L090GNTB Technisches Datenblatt

nicht konform

RQ3L090GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.55000 $1.55
500 $1.5345 $767.25
1000 $1.519 $1519
1500 $1.5035 $2255.25
2000 $1.488 $2976
2500 $1.4725 $3681.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1260 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTMFD4951NFT3G
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NTP90N02G
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CPH3327-TL-E
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FCH072N60F
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RFD14N05SM9A
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IXTH260N055T2
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