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RQ6E080AJTCR

RQ6E080AJTCR

RQ6E080AJTCR

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

compliant

RQ6E080AJTCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.84000 $0.84
500 $0.8316 $415.8
1000 $0.8232 $823.2
1500 $0.8148 $1222.2
2000 $0.8064 $1612.8
2500 $0.798 $1995
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1810 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 950mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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