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RQ6E085BNTCR

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MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

compliant

RQ6E085BNTCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33350 -
6,000 $0.32200 -
16 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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