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RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP

RS1E150GNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1E150GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.19995 -
5,000 $0.18705 -
12,500 $0.18060 -
88 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 22.9W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFA20N85XHV
IXFA20N85XHV
$0 $/Stück
GT100N12T
PSMN2R4-30YLDX
SIHP24N65E-GE3
BUK4D38-20PX
2N7002LT1G
2N7002LT1G
$0 $/Stück
NTP75N03-006
NTP75N03-006
$0 $/Stück
DMN2310UT-13

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