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RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

RS1E240BNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1E240BNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.20305 -
5,000 $0.18995 -
12,500 $0.18340 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS0D55N03CGT1G
NTMFS0D55N03CGT1G
$0 $/Stück
SCT4036KEC11
STD2HNK60Z-1
FDMS86163P
FDMS86163P
$0 $/Stück
BUK7E1R9-40E,127
FQB9P25TM
FQB9P25TM
$0 $/Stück
CSD17313Q2Q1
DMP6250SEQ-13

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