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RS1E260ATTB1

RS1E260ATTB1

RS1E260ATTB1

MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP

nicht konform

RS1E260ATTB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.10000 $3.1
500 $3.069 $1534.5
1000 $3.038 $3038
1500 $3.007 $4510.5
2000 $2.976 $5952
2500 $2.945 $7362.5
319 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.1mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 175 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7850 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E
$0 $/Stück
NTGS3441T1
NTGS3441T1
$0 $/Stück
IXTA180N10T-TRL
IXTA180N10T-TRL
$0 $/Stück
MSC040SMA120J
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
$0 $/Stück
APT10045LLLG
STL135N8F7AG

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