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RS1E350GNTB

RS1E350GNTB

RS1E350GNTB

MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

RS1E350GNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1E350GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.81000 $2.81
500 $2.7819 $1390.95
1000 $2.7538 $2753.8
1500 $2.7257 $4088.55
2000 $2.6976 $5395.2
2500 $2.6695 $6673.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4060 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

GKI03080
GKI03080
$0 $/Stück
SIHH28N60E-T1-GE3
BUK9E3R2-40E,127
BUK9E3R2-40E,127
$0 $/Stück
FDP3652
FDP3652
$0 $/Stück
NVTFS6H854NWFTAG
NVTFS6H854NWFTAG
$0 $/Stück
DMT64M1LPSW-13

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