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RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

RS1G120MNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1G120MNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.17050 -
5,000 $0.15950 -
12,500 $0.15400 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16.2mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

R6002END3TL1
ZXM64P02XTA
IXFH230N075T2
IXFH230N075T2
$0 $/Stück
RFD16N05_NL
PSMNR51-25YLHX
NTD95N02RT4G
NTD95N02RT4G
$0 $/Stück
IXTY10P15T
IXTY10P15T
$0 $/Stück
IRF730APBF
IRF730APBF
$0 $/Stück
SIHFBC40AS-GE3

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