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RSM002N06T2L

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MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3

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RSM002N06T2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.05850 -
4830 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

FQP44N10
FQP44N10
$0 $/Stück
APT56M50B2
SIHP14N50D-GE3
IRFL210TRPBF
IRFL210TRPBF
$0 $/Stück
SISH101DN-T1-GE3
APL602J
APL602J
$0 $/Stück

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