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RUC002N05T116

RUC002N05T116

RUC002N05T116

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

compliant

RUC002N05T116 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.04600 -
6,000 $0.04000 -
15,000 $0.03400 -
30,000 $0.03200 -
75,000 $0.03000 -
150,000 $0.02800 -
324000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SST3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/Stück
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/Stück
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/Stück
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
SIHB22N60AEL-GE3

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