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RUM003N02T2L

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MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

nicht konform

RUM003N02T2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09520 -
16,000 $0.08680 -
24,000 $0.08120 -
56,000 $0.07840 -
3625 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 300mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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