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RZF013P01TL

RZF013P01TL

RZF013P01TL

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

RZF013P01TL Technisches Datenblatt

compliant

RZF013P01TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09000 -
6,000 $0.08500 -
15,000 $0.07750 -
30,000 $0.07250 -
75,000 $0.07000 -
1474 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 290 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TUMT3
Paket / Koffer 3-SMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

AUIRF4905L
US5U30TR
US5U30TR
$0 $/Stück
MTB9N25ET4
MTB9N25ET4
$0 $/Stück
SCT3040KRC14
IXFX48N60Q3
IXFX48N60Q3
$0 $/Stück
FCH099N60E
FCH099N60E
$0 $/Stück
SQJ454EP-T1_BE3
SFS9614
IXFR230N20T
IXFR230N20T
$0 $/Stück

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