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RZR040P01TL

RZR040P01TL

RZR040P01TL

MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3

RZR040P01TL Technisches Datenblatt

compliant

RZR040P01TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24070 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2350 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT3
Paket / Koffer SC-96
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS4800NTWG
NTTFS4800NTWG
$0 $/Stück
IRFZ44N,127
IRFZ44N,127
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IXTY3N50P
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NVMFS5C410NLWFAFT3G
NVMFS5C410NLWFAFT3G
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NTDV18N06LT4G
NTDV18N06LT4G
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SIB419DK-T1-GE3
IXFK32N90P
IXFK32N90P
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IRF9640L
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FDMS36101L-F085
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