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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 18V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 3.3mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 61 nC @ 18 V |
| vgs (max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1200 pF @ 500 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
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