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SCT3120AW7TL

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SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

compliant

SCT3120AW7TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.55000 $11.55
500 $11.4345 $5717.25
1000 $11.319 $11319
1500 $11.2035 $16805.25
2000 $11.088 $22176
2500 $10.9725 $27431.25
960 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (max) @ ID 5.6V @ 3.33mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7
Paket / Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Zugehörige Teilenummer

EPC8002
EPC8002
$0 $/Stück
NTMFS4946NT1G
NTMFS4946NT1G
$0 $/Stück
BUK9610-100B,118
PMZ290UNE2YL
RF1S45N06LE
RFP15P05
RFP15P05
$0 $/Stück

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