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SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

SH8M13GZETB Technisches Datenblatt

compliant

SH8M13GZETB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.38360 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A, 7A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/Stück
IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
SI4618DY-T1-GE3
AUIRF7342Q
SI5903DC-T1-GE3
ZXMD63N03XTC
SI6933DQ-T1-GE3

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