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SH8M51GZETB

SH8M51GZETB

SH8M51GZETB

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

SH8M51GZETB Technisches Datenblatt

compliant

SH8M51GZETB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.78000 $1.78
500 $1.7622 $881.1
1000 $1.7444 $1744.4
1500 $1.7266 $2589.9
2000 $1.7088 $3417.6
2500 $1.691 $4227.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta), 2.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Leistung - max. 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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